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結合電子背散射衍射（EBSD）實驗與耦合熱–力的多晶相場模擬，揭示電鍍 TXV-Cu 在退火過程中的晶粒演化行為及其對可靠性的影響;基于相場方法的退火晶粒演化模型，將溫度依賴的界面遷移率、界面能及熱膨脹效應納入描述框架，從而在數值模擬中再現 TXV-Cu 的微觀組織演變過程。

對稱性較差的結構，但無法考慮晶粒與晶粒之間以及晶粒內部的響應情況分析，往往用于定性分析滑移系統開動情況，孿晶演化，宏觀應變硬化等。

但實際金屬材料并不是“均勻黑箱”：晶粒取向、滑移系激活、織構演化都會影響局部塑性變形，尤其在薄壁管壓潰這類大變形、強局部化問題中，微觀結構可能對吸能行為產生重要影響。

圖2 Cu單晶沿[541]和[163]取向拉伸變形過程中真應力和孿晶體積分數隨應變演化的模擬與實驗結果圖3 Cu單晶沿[541]取向拉伸變形過程中各滑移系和孿生系的激活演化結果 為了反映多晶中晶粒的組織形貌及取向特征，基于Voronoi的特征微元重構多晶微結構，如圖4所示。該幾何模型由開源軟件Neper建立，約包含100個等軸晶粒。

模型使用包含500個晶粒100000個單元的板狀多晶，承受X方向20％的工程應變。

模型使用包含500個晶粒100000個單元的板狀多晶，承受X方向20％的工程應變。

并且預測的晶內取向旋轉于CPFEM結果存在較大差異四，研究了典型取向的單晶演化速率受周圍晶粒取向影響的情況。

Grain-size sensitive (GSS) model：這是一種考慮晶粒尺寸變化對材料力學性能影響的本構模型，通過將晶粒尺寸變化引入到材料的塑性變形模型中，來模擬材料的重結晶過程。這些本構模型可以用于模擬和預測材料在不同應變條件下的變形行為和重結晶行為，為材料科學和工程領域的研究和應用提供了有力的工具和支持。

基于vpsc7.0d的等通道轉角擠壓成型織構演化分析------案例十三案例實操1，初始1000個隨機取向的晶粒2，施加多步驟邊界條件：ECAE1→90ＣＷ１→90ＣＷ→ECAE23，后處理取向分布與典型織構演化初始取向分布ECAE1取向分布90°CW1取向分布90°CW2取向分布ECAE2取向分布織構體積分數的演化

多尺度模型子程序考慮微觀晶粒與宏觀單元的相互作用：1) 宏觀單元由多個晶粒組成，每個晶粒的相變行為獨立計算；2) 單元整體響應為各晶粒響應的加權平均，可模擬晶粒取向對宏觀行為的影響（如案例中 Element 1 及其不同晶粒的應變差異）。3、 案例介紹和結果對比1.

這里以DREAM 3D　為建模軟件，建立兩類模型，模擬DP雙相鋼在周期性邊界體條件下整體的應力應變響應以及織構演化情況。

應力高于vpsc模擬）：等效塑性應變：第一個晶粒的累計剪切滑移：發生孿晶次數;變形后的形狀演化：

作者的理論框架：基于超彈性的本構框架建立的KM位錯密度模型流動模型為：其中硬化模型偽為：位錯密度的演化遵循經典的KM模型：L表示位錯的平均自由程：為了考慮晶界效應，作者為位錯的平均自由程進行修改Ks表示晶界處存儲系數。

根據FCC的取向差計算公式，得到初始的晶界分布：初始的IPF圖如下：初始的晶粒尺寸分布（mm）：變形45%后的IPF圖如下：變形45%后的晶界分布情況：變形45%后的應力分布情況：變形45%后的位錯密度分布情況：變形45%后的晶粒尺寸分布情況：感興趣的歡迎加入知識星球交流討論，當前效果是初步的建模分析結果

模型使用包含500個晶粒100000個單元的板狀多晶，承受X方向20％的工程應變。局部應力應變分布與宏觀應力應變響應結果如下：初始幾何模型與晶粒取向分布：拉伸變形局部應力分布：拉伸變形局部應變分布：宏觀應力應變響應情況：變形結束后多晶取向分布：六 時間及費用1. 教學費用：根據每次培訓的人數定價,具體聯系客服獲取當前期培訓價格.2.

? 基于atex軟件實現FCC，BCC，HCP織構演化預測 案例實操 1，生成包含500個晶粒的多晶模型。

第一層是我們熟悉的晶粒尺度模擬，也就是基于有限元的晶體塑性計算。它負責求解每個晶粒、每個單元中的應力、應變、滑移量和位錯密度演化。第二層是介觀尺度模擬，用來處理普通 CP-FEM 很難直接描述的部分：位錯在晶粒內部的重新分布、由位錯堆積產生的背應力，以及位錯穿過晶界時受到的阻礙。這篇文章里，最值得關注的是它對晶界的處理。

模型使用包含500個晶粒100000個單元的板狀多晶，承受X方向20％的工程應變。局部應力應變分布與宏觀應力應變響應結果如下：初始幾何模型與晶粒取向分布：拉伸變形局部應力分布：拉伸變形局部應變分布：宏觀應力應變響應情況：變形結束后多晶取向分布：六 時間及費用1.

Abaqus調用damask實現軋制變形中FCC，BCC織構演化分析 案例實操一 1，使用abaqus建立20*20*20（mm）的立方塊 2，對立方塊進行單元劃分共包含1000個單元 3，假設每個單元代表一個單獨的晶粒，通過腳本隨機賦予每個單元材料屬性 4，施加對應的邊界提交（60%的下壓量） 5，提交與后處理材料數據 包含1000個晶粒的有限元模型